遠紅外陶瓷加熱器技術設計原則

遠紅外陶瓷加熱器技術設計原則

評價遠紅外加熱系統的好壞，主要是看在整個加熱過程中是否是以輻射加熱為主，以傳導和對流加熱為輔，輻射加熱所占比例越大，說明該系統的性能越好。

經過遠紅外工作者們對大量的遠紅外烘道、烘箱熱能轉換效率的測定和理論上的研究。在80年代中期提出了判定輻射烘道的兩個方法：一是測定烘道內空間溫度和元件表面溫度，只有T空間<T元件20～40℃時，該烘道才稱為輻射烘道，元件符合遠紅外節電條件時，進而稱之為遠紅外烘道。二是改流水作業為靜態烘烤，如果不出現漆膜不均勻現象(色差)時，才能稱為輻射烘道，否則不能稱為遠紅外加熱。

遠紅外加熱技術設計原則

經過多年來的研究、實踐探討，科學工作者總結出了遠紅外烘道，烘箱的以下三條設計原則：

（1）均勻輻射場設計：均勻輻射場設計旨在保證工件不論運動到什么位置，其表面接受的輻射能是均勻的。均勻輻射場設計是利用輻射光學原理，計出一組數據，即：元件排列方式、元件間隔、反射罩形式、元件與工件距離。從而擺脫元件間隔100～350mm，元件與工件距離50～400mm的定性設計。

（2）勻溫度場設計：為防止烘道內均勻溫度場被破壞，應使烘道內上下左右溫度差保持在±5～10℃。

（3）均勻控溫技術設計：通斷式控溫導致局部溫度波動大。晶閘管調壓會降低元件的輻射，增加對流作用。應用調功器控溫，使遠紅外技術達到爐火純青的地步。